研究方向：高Al組分AlGaN/AlN基功率電子器件

崗位名稱：博士後研究員（1-2名）

我們的獨特優勢：

√III族氮化物MOCVD外延能力

√完善的潔淨室器件工藝和表征平台

√超寬禁帶半導體方向前沿
，大量原創性工作機會

√對博後職業發展的全力支持

歡迎以下背景的候選人：

●III族氮化物或寬禁帶半導體相關方向（材料生長、器件工藝、表征測試等）

●功率器件或RF器件方向（GaN


、SiC等，希望向超寬禁帶新賽道拓展）

●半導體器件仿真方向（希望結合實驗驗證）

●材料科學相關方向（具有半導體器件工藝和表征經驗者）

招聘標準：

1.具有良好的思想政治素質和品德學風；

2.已取得或即將取得材料科學
、微電子
、物理、電子工程等相關專業博士學位
，獲得博士學位一般不超過3年；

3.具(ju)有(you)很(hen)好(hao)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)物(wu)理(li)專(zhuan)業(ye)知(zhi)識(shi)，很(hen)強(qiang)的(de)動(dong)手(shou)能(neng)力(li)，熟(shu)練(lian)掌(zhang)握(wo)材(cai)料(liao)生(sheng)長(chang)和(he)測(ce)試(shi)表(biao)征(zheng)技(ji)術(shu)，以(yi)第(di)一(yi)作(zuo)者(zhe)發(fa)表(biao)過(guo)高(gao)水(shui)平(ping)學(xue)術(shu)論(lun)文(wen)，具(ju)備(bei)獨(du)立(li)科(ke)研(yan)能(neng)力(li)和(he)團(tuan)隊(dui)協(xie)作(zuo)精(jing)神(shen)
；

4.進站後須全職從事博士後研究工作；

5.身體健康，符合北京大學博士後的招收條件。

薪資福利：

1.聘期一般兩年，年薪30-34萬元（稅前，含五險一金），包括基本年薪12-16萬元/年及深圳市在站博士後生活補助18萬元/年）；

2.優秀者推薦申請“博雅博士後”等人才項目
，待遇按博雅博後標準執行；

3.可獲得科研績效獎勵
；

4.出站後留深圳工作並與本市企事業單位簽訂3年以上合同的，可申請深圳市生活資助36萬元；

5.推薦申請中國博士後科學基金麵上資助項目

、國自然青年基金、廣東省自科基金
、聯合基金、深圳市自科基金等科研項目

6.協助解決學校宿舍或人才公寓。

申請材料：

請發送CV

、代表性論文和簡要研究興趣說明至pkucom@outlook.com。（郵件標題注明：應聘某某崗位+本人姓名+高校人才網）歡迎隨時非正式谘詢，我們樂意先聊聊方向和實驗室情況。【快捷投遞：點擊下方“立即投遞/投遞簡曆”，即刻進行職位報名】

備注：

初選通過後
，郵件通知候選人
；申請材料恕不退回。

北京大學博士後管理政策：http://postdocs.pku.edu.cn/

在站期間表現優秀者可以申請專職研究崗位。

截止時間：

長期有效，招到為止。

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【高才博士後】網站→https://boshihou.gaoxiaojob.com